Российские ученые создали устройство для улучшения качества электроэнергии

20.05.2024

Новое устройство представляет собой электронный преобразователь напряжения, работающий на управляемых транзисторах. Он подключается параллельно электрической нагрузке и компенсирует искажения напряжения.

На данный момент уже создан и протестирован опытный образец преобразователя. Он успешно прошел лабораторные испытания. Устройство устраняет негативные эффекты от различных нагрузок, таких как скачки и рывки напряжения, которые могут вызывать сбои в работе подключенных приборов и приводить к потерям энергии, отметили в пресс-службе.

Особенность разработки заключается в ее способности локально компенсировать искажения напряжения, обеспечивая стабильную работу системы. Примером нелинейной нагрузки может служить светодиодный экран или промышленная вентиляция, потребляющие ток рывками. Устройство НГТУ сглаживает эти рывки, повышая качество электроэнергии.

Добавить комментарий

Your email address will not be published.

Предыдущая история

Российские ученые разработали методику для отбора засухоустойчивых растений

Next Story

Российские учёные создали 3D-модель древних рисунков на камнях

Последние из Технология

Google TV раскритиковали за подход к рекламе — должны быть лишь фильмы

08.11.2024
Реклама новой видеоигры, которая недоступна на Google TV, включает кнопку «Купить сейчас», которая переводит пользователей даже не на сайт игры, а на её YouTube-канал. Это, по мнению автора статьи, вызывает

Как в пару кликов научить Google Chrome и Safari переводить любое видео на сайтах

08.11.2024
Изначально такие возможности были доступны лишь в Яндекс.Браузере — именно он позволял смотреть зарубежные видеоролики с нейропереводом в реальном времени. Однако разработчик-энтузиаст создал скрипт,

Huawei предложила инженерам TSMC втрое большую зарплату

08.11.2024
Причина таких активных попыток привлечь сотрудников заключается в потребности Huawei в талантах, знакомых с современными технологиями производства. В то время как компания ограничена в производстве чипов на уровне 7 нм из-за санкций,
Перейти кTop