Samsung 1 nm tehnologiýasy üçin topary resmi taýdan döredip, 2 nm GAA arhitekturasy bilen baglanyşykly işlerden soňky ädim hökmünde işe girişdi.
Sedaily neşiriň maglumatlaryna görä, kompaniýanyň içinde bu täze tapgyr “ýarymgeçiriji pudagynyň arzuwy” diýip atlandyrylýar. Şeýle çipleriň köpçülikleýin önümçiligi diňe 2029-njy ýylda başlanar.
1 nm tehnologiýasyna geçmek üçin ýokary sanly aperturaly (high-NA EUV) täze nesil EUV-litagrafiýa enjamlary gerek bolar. Şu wagta çenli Samsung bu enjamlary sargyt etdimi ýa-da ýok, anyk belli däl.
Şol bir wagtyň özünde bäsdeşler hem işlerini dowam etdirýärler. TSMC 2 nm çiplerine sargytlary kabul edip başlady we 1,4 nm tehnologiýasy üstünde işleýär. Samsung bolsa 2 nm test önümçiliginde takmynan 30% geçerli kristallar gazandy — bu 3 nm bilen deňeşdirilende has ýokary, ýöne kämillik derejesine entek ýetmedik.
Mundan öň Samsung 1,4 nm tehnologiýasynyň üstünde işlemegi bes edip, ünsüni 2 nm-e gönükdirmekçi bolup biljekdigi habar berlipdi. Indi bolsa has uly we arzuwly maksat — 1 nm-e üns berilýär.
Hemmesi meýilnamalaşdyrylyşy ýaly bolsa, koreý kompaniýasy örän kiçi tranzistorlar ugrunda ýaryşda öňe geçip biler.